السلام عليكم و رحمة الله تعالى و بركاته
خاص بموقع
الكمبيوتر الكفي :
جاء في الأخبار الشهر الماضي، أن شركتي
سامسونج الكورية و TSMC التايوانية لصناعة اشباه الموصلات تتنافسان على أمل ان يتم إختيار احداهما كشركة مصنِّعة لرقاقة كوالكوم المقبلة التي يتوقع ان تحمل اسم سنابدراجون 845. باستخدام دقة تصنيع 7 نانومتر، و التي ستكون وحدة المعالجة المركزية لهواتف العام المقبل الرائدة، حيث سيكون رائد
سامسونج غلاكسي S9 اول الهواتف المدعومة بهذه الرقاقة. التسريبات تفيد بأن الرقاقة سيتم طرحها في وقت مبكر من العام المقبل، مما يشير إلى أن
سامسونج ستعود إلى الإطار الزمني العادي في العام المقبل و تقديم رائدها المقبل في مؤتمر الجوال العالمي 2018، الذي ستقام فعالياته في الفترة ما بين 26 فبراير و 1 مارس 2018.
يذكر أن هناك شرائح أخرى سيتم إنتاجها بدقة تصنيع 7 نانومتر العام المقبل من ضمنها الأصدار التالي من معالج كيرين من
هواوي، و كذلك معالجات مدياتيك، و نفيديا المقبلة. كما نعلم يتم إنتاج رقاقات المعالجة الراقية الحالية، مثل سنابدراجون 835، و اكزينوس 8895 باستخدام دقة تصنيع 10نانومتر. لكن الترقية وصولاً لدقة تصنيع 7 نانومتر، ستحسِّن من الأداء العام بنسبة 25% إلى 35% وهو ما يعني أيضا تقليل حجم الرقاقة، والتي يمكن ان تتيح امكانية تقليل احجام الهواتف التي تستخدم رقاقة سنابدراجون 845.
من جهة أخرى، في الأسبوع المقبل، من المتوقع أن تكشف كوالكوم النقاب عن شريحة جديدة من الفئة المتوسطة العليا باسم سنابدراجون 660. ومن المتوقع أن يتم استخدامها في مجموعة من الهواتف المتوسطة من مختلف الشركات، من ضمنها هواتف سلسلة غلاكسي C الجديدة من سامسونج، و هاتفي شياوميRedmi Pro 2 و Mi Max 2. هاتف Oppo R11 و Vivo X9s Plus. هاتفي نوكيا 7 و نوكيا 8.
رقاقة سنابدراجون 660، ثمانية النوي، و تتضمن اربعة انوية Cortex-A73 بتردد يصل الي 2.3 غيغاهرتز، وأربعة انوية Cortex-A53، بتردد يصل الي 1.9 غيغاهرتز. مرفقة بمعالج الرسوميات Adreno 512. و هناك دعم للشحن السريع مع تقنية Quick Charge 4.0. و كذلك دعم الذواكر العشوائية LPDDR4X بسرعة 1886 ميغاهيرتز، علاوة علي ذواكر
التخزين الداخلية من نوع UFS 2.1.
المصدر