عرض مشاركة واحدة
قديم 01-02-2018, 04:57 PM   #7
Nooruddeen
عضو اساسي
 
الصورة الرمزية Nooruddeen
 
الرتبة الادارية: مشرف
تاريخ التسجيل: 11-04-2004
الدولة: KSA-المدينة
المشاركات: 16,057
مشاركات الشكر: 83,774
شكر 33,131 مرات في 10,195 مشاركات

الاوسمة التي حصل عليها

اقتباس:
المشاركة الأصلية كتبت بواسطة mustafa_arra مشاهدة المشاركة
المقصود بالخبر هنا هو ان هذا نوع الجديد يختص الذاكره الداخليه للجهاز وليس للتوسعه الخارجيه

والذاكره الداخليه اهم بكثير من الخارجيه لانها تحدد سرعة الجهاز القصوى

مثلا سبب فرق السرعه بين ال note8 وال s8 هو ليس زيادة الرام ولكن لان النوت 8 يستعمل ufs 2.1 وال s8 يستعمل ufs2.0

وهذا الفرق احدث فرق كبير بالسرعات لدرجة ان النوت 8 يضاهي او يتفوق على الافون 8 باختبارات السرعه

نوع الذاكره الداخليه بالافون 8 هي nvme بالمناسبه
شكرا لك على المشاركة وجزاك الله خيرا.

حسب علمي: أغلب نسخ S8 و جميع نسخ S8 Plus تحمل ذواكر داخلية من نوع ufs 2.1
وبعض نسخ S8 (ربما لا تتجاوز 20% من نسخ S8) تحمل ذواكر داخلية من نوع ufs 2.0 بخاصة في نسخ الهاتف بمعالج Snapdragon

للمزيد:
المصدر الأول
المصدر الثاني

وإن كنت أنا أخطأت في الفهم فأرجو تصحيحي.

للعلم: جهازي S8 Plus اختربته قبل قليل ببرنامج Material Terminal فظهر أنه يحمل الذاكـرة ufs 2.1 السريعة من صناعة السامـسونج.

***********
هذه تفاصيل الذواكر من صناعة السامـسونج وتـوشـيـبـا

Samsung UFS 2.1 (KLUCG4J1ED-B0C1): Galaxy S8 and S8+ Exynos variants
Toshiba UFS 2.1 (THGAF4G9N4LBAIRA or THGAF4G9N4LBAIRB): Galaxy S8+ Snapdragon variant
Toshiba UFS 2.0 (THGBF7G9L4LBATRA or THGBF7G9L4LBATRC): Galaxy S8 Snapdragon variant
Nooruddeen غير متصل  
عدد 7 من الاعضاء يشكرون Nooruddeen على مشاركته الطيبة ويطلبون المزيد من هذه المشاركات الرائعة ويدعون له بالتوفيق
مشاهدة/اخفاء قائمة الشكر لهذه المشاركة

اعلان