عرض مشاركة واحدة
قديم 23-09-2019, 06:26 AM   #2
ZaFaR97
عضو فعال
 
الصورة الرمزية ZaFaR97
 
تاريخ التسجيل: 15-07-2014
الدولة: في أرض الله الواسعة
المشاركات: 833
مشاركات الشكر: 1,410
شكر 1,093 مرات في 534 مشاركات

شكرًا لنقلك الخبر، هذه نقلة أخرى قادِمة؛

جهد جيِّد من سامسونج؛ لكنّ سيتطلّب الأمر حسب نظرتي إلى سنتين تقريبًا حتى يتمّ استغلال كامِل السرعه هذه في الأجهزة؛ حيث أنّ الآن الفرق في سرعة الإقلاع للويندوز بعد الـ 500ميقا بايت يكون لحدٍ مّا ليس كبيرًا، يعني فقط تزيد سرعة الإقلاع نصف ثانية رغم أن سرعة ذواكر NVME هي 6 أضعاف الـ SSD!

كذلك دعاية أنّها لا تموت، بحسب التوضيح المرفق ليست دائمة، بل مؤقَّتة حتى تنفذ مجموعة الرقائق الصّالحة في الذاكرة وهنا يُفقد البديل.

وحسب علمي أنّ الخلل حاليًا في جعل دورات الكتابة محدودة هو بسبب طريقة الكتابة على هذه الذّواكر، حيث تستعمل مادّة معينة وطريقة يُرفع فيها حرارة مكوِّن محدد لشحن/تفريغ جزيء من الذاكرة، هذه المادة (أو المكوِّن) تتلف بالتكرار بفعل الحرارة (طريقة الكتابة) وبالتالي تصبح تالِفة غير صالِحة للكتابة.

وهذا الخلل بالذّات قد يُحلّ إذا اُعتمِدت آلية جديدة في الكتابة.

ZaFaR97 غير متصل   رد مع اقتباس
عدد 5 من الاعضاء يشكرون ZaFaR97 على مشاركته الطيبة ويطلبون المزيد من هذه المشاركات الرائعة ويدعون له بالتوفيق
مشاهدة/اخفاء قائمة الشكر لهذه المشاركة

اعلان